casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 6116SA45TDB
codice articolo del costruttore | 6116SA45TDB |
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Numero di parte futuro | FT-6116SA45TDB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
6116SA45TDB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 45ns |
Tempo di accesso | 45ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 24-CDIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-CDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6116SA45TDB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 6116SA45TDB-FT |
MX29GL256FUXGI-11G
Macronix
MX29LV040CT2I-90G
Macronix
MX29LV400CBXBC-70G
Macronix
MX29LV400CBXBC-90G
Macronix
MX29LV400CBXBI-90G
Macronix
MX29LV400CTXBC-70G
Macronix
MX29LV400CTXBC-90G
Macronix
MX29LV400CTXBI-90G
Macronix
MX29LV800CBXGI-70G
Macronix
MX29LV800CTXGI-70G
Macronix
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel