casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 6116SA45TDB
codice articolo del costruttore | 6116SA45TDB |
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Numero di parte futuro | FT-6116SA45TDB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
6116SA45TDB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 45ns |
Tempo di accesso | 45ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 24-CDIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-CDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6116SA45TDB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 6116SA45TDB-FT |
MX29GL256FUXGI-11G
Macronix
MX29LV040CT2I-90G
Macronix
MX29LV400CBXBC-70G
Macronix
MX29LV400CBXBC-90G
Macronix
MX29LV400CBXBI-90G
Macronix
MX29LV400CTXBC-70G
Macronix
MX29LV400CTXBC-90G
Macronix
MX29LV400CTXBI-90G
Macronix
MX29LV800CBXGI-70G
Macronix
MX29LV800CTXGI-70G
Macronix
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel