casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 6116SA25TDB
codice articolo del costruttore | 6116SA25TDB |
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Numero di parte futuro | FT-6116SA25TDB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
6116SA25TDB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 25ns |
Tempo di accesso | 25ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 24-CDIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-CDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6116SA25TDB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 6116SA25TDB-FT |
MX29F200CBMC-90G
Macronix
MX29GL256FDXGI-11G
Macronix
MX29GL256FUXGI-11G
Macronix
MX29LV040CT2I-90G
Macronix
MX29LV400CBXBC-70G
Macronix
MX29LV400CBXBC-90G
Macronix
MX29LV400CBXBI-90G
Macronix
MX29LV400CTXBC-70G
Macronix
MX29LV400CTXBC-90G
Macronix
MX29LV400CTXBI-90G
Macronix
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel