casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 60S2-TP
codice articolo del costruttore | 60S2-TP |
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Numero di parte futuro | FT-60S2-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
60S2-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 6A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
60S2-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 60S2-TP-FT |
R2000FGP-TP
Micro Commercial Co
RS3000-AP
Micro Commercial Co
RS3000-TP
Micro Commercial Co
SF11-AP
Micro Commercial Co
SF11-TP
Micro Commercial Co
SF12-AP
Micro Commercial Co
SF12-TP
Micro Commercial Co
SF13-AP
Micro Commercial Co
SF13-TP
Micro Commercial Co
SF14-AP
Micro Commercial Co
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel
EP2AGX95EF35C6ES
Intel