casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 602-20011
codice articolo del costruttore | 602-20011 |
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Numero di parte futuro | FT-602-20011 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
602-20011 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 4Kb (512 x 8) |
Frequenza di clock | 2MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 6ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
602-20011 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 602-20011-FT |
GD25Q20CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q20CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q20CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CSJG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CSJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q40CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q40CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
5SGSED6N1F45I2N
Intel
XC5VFX130T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
Intel
5AGZME1H3F35C4N
Intel