casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 5962F1120101QXA
codice articolo del costruttore | 5962F1120101QXA |
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Numero di parte futuro | FT-5962F1120101QXA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
5962F1120101QXA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, QDR II+ |
Dimensione della memoria | 72Mb (4M x 18) |
Frequenza di clock | 250MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 165-BFCCGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-CCGA (21x25) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
5962F1120101QXA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 5962F1120101QXA-FT |
25LC080A-I/WF15K
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25LC080B-I/S15K
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25LC080B-I/W15K
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25LC080B-I/WF15K
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25LC1024-E/SM16KVAO
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25LC1024-I/S16K
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25LC1024-I/W16K
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25LC1024-I/WF16K
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25LC1024T-E/SM16KVAO
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25LC160A-I/S15K
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XC2VP4-5FGG256I
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XC7A100T-L2FTG256E
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XC6SLX150T-N3FG484C
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LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
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A54SX16-1VQG100I
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5SGXEA5K2F35I3N
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5SGXEA7K2F35C2
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EPF10K100EBC356-2
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Intel