casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 5962-3829407MXA
codice articolo del costruttore | 5962-3829407MXA |
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Numero di parte futuro | FT-5962-3829407MXA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
5962-3829407MXA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 28-CerDip |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
5962-3829407MXA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 5962-3829407MXA-FT |
71256SA12PZG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA12PZG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA15PZG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA15PZG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA20PZG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA20PZG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA20PZGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA20PZGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA25PZGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA25PZGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel