casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 56DN06B01ELEMXPSA1
codice articolo del costruttore | 56DN06B01ELEMXPSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-56DN06B01ELEMXPSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
56DN06B01ELEMXPSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8400A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 980mV @ 8000A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100mA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | DO-200AB, B-PUK |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 180°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
56DN06B01ELEMXPSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 56DN06B01ELEMXPSA1-FT |
SRT115HA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT115HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT12 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT12 A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT12 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT12HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT12HA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT12HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT13 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT13 A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel