casa / prodotti / Protezione del circuito / Fusibili elettrici e speciali / 55GDMSJD80E
codice articolo del costruttore | 55GDMSJD80E |
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Numero di parte futuro | FT-55GDMSJD80E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
55GDMSJD80E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di fusibile | Cartridge |
Valutazione attuale | 80A |
Tensione nominale - CA. | 5.5kV |
Tensione nominale - CC | - |
Tempo di risposta | - |
applicazioni | - |
Caratteristiche | - |
Classe | - |
approvazioni | - |
temperatura di esercizio | - |
Capacità di interruzione @ Tensione nominale | 40kA |
Tipo di montaggio | Holder |
Pacchetto / caso | Cartridge, Non-Standard |
Dimensione / Dimensione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
55GDMSJD80E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 55GDMSJD80E-FT |
2CLS-230
Eaton - Bussmann Electrical Division
2CLS-4R
Eaton - Bussmann Electrical Division
2CLS-5R
Eaton - Bussmann Electrical Division
2CT
Eaton - Bussmann Electrical Division
2H07-660
Eaton - Bussmann Electrical Division
2NHG000B-400
Eaton - Bussmann Electrical Division
2NHG000B-690
Eaton - Bussmann Electrical Division
3.6ABCNA10
Eaton - Bussmann Electrical Division
3.6ABCNA3.15
Eaton - Bussmann Electrical Division
3.6ABCNA6.3
Eaton - Bussmann Electrical Division
LCMXO1200C-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S100E-4CPG132C
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQ240I
Microsemi Corporation
A3PN060-ZVQG100
Microsemi Corporation
AGLN250V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F40I2N
Intel
EP4CE15E22C7N
Intel
EP3C25E144I7N
Intel
5SGXEA9N3F45C2L
Intel
AX1000-1FGG676
Microsemi Corporation