casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / 53MT80KB
codice articolo del costruttore | 53MT80KB |
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Numero di parte futuro | FT-53MT80KB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
53MT80KB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 55A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | MTK |
Pacchetto dispositivo fornitore | MTK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
53MT80KB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 53MT80KB-FT |
KBJ401G
GeneSiC Semiconductor
KBJ408G
GeneSiC Semiconductor
KBJ410G
GeneSiC Semiconductor
KBL401G
GeneSiC Semiconductor
KBL402G
GeneSiC Semiconductor
KBL404G
GeneSiC Semiconductor
KBL406G
GeneSiC Semiconductor
KBL408G
GeneSiC Semiconductor
KBL410G
GeneSiC Semiconductor
KBL601G
GeneSiC Semiconductor
LCMXO2-2000ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG176
Microsemi Corporation
A42MX09-FVQG100
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I3N
Intel
5SGXMB5R3F40I4N
Intel
EP20K100EFI144-2X
Intel
XC5VLX50-2FFG676C
Xilinx Inc.
AGL030V5-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE2-6E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation