casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / 53MT160KB
codice articolo del costruttore | 53MT160KB |
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Numero di parte futuro | FT-53MT160KB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
53MT160KB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.6kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 55A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | MTK |
Pacchetto dispositivo fornitore | MTK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
53MT160KB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 53MT160KB-FT |
KBJ4005G
GeneSiC Semiconductor
KBJ401G
GeneSiC Semiconductor
KBJ408G
GeneSiC Semiconductor
KBJ410G
GeneSiC Semiconductor
KBL401G
GeneSiC Semiconductor
KBL402G
GeneSiC Semiconductor
KBL404G
GeneSiC Semiconductor
KBL406G
GeneSiC Semiconductor
KBL408G
GeneSiC Semiconductor
KBL410G
GeneSiC Semiconductor
XC7A15T-L1FTG256I
Xilinx Inc.
XCKU11P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
M2GL010S-1FG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
LFE2M100E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2SGE2
Intel
5AGXFB1H4F35I5G
Intel
10AX027E1F27E1SG
Intel
EPF10K100EQC208-1X
Intel