casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / 53MT120KB
codice articolo del costruttore | 53MT120KB |
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Numero di parte futuro | FT-53MT120KB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
53MT120KB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 55A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | MTK |
Pacchetto dispositivo fornitore | MTK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
53MT120KB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 53MT120KB-FT |
KBJ2510G
GeneSiC Semiconductor
KBJ4005G
GeneSiC Semiconductor
KBJ401G
GeneSiC Semiconductor
KBJ408G
GeneSiC Semiconductor
KBJ410G
GeneSiC Semiconductor
KBL401G
GeneSiC Semiconductor
KBL402G
GeneSiC Semiconductor
KBL404G
GeneSiC Semiconductor
KBL406G
GeneSiC Semiconductor
KBL408G
GeneSiC Semiconductor
A1010B-PQG100I
Microsemi Corporation
APA600-BG456
Microsemi Corporation
M2GL010-1VFG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C2LN
Intel
EP4CE15E22I7
Intel
XC3090A-7PC84C
Xilinx Inc.
XC7K480T-2FF901C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-9FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19I7
Intel
EP4CE55F29I7
Intel