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codice articolo del costruttore | 520R20DT26M0000 |
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Numero di parte futuro | FT-520R20DT26M0000 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 520 |
520R20DT26M0000 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Crystal |
Frequenza | TCXO |
Funzione | 26MHz |
Produzione | - |
Tensione - Fornitura | Clipped Sine Wave |
Stabilità di frequenza | 3V |
Absolute Pull Range (APR) | ±2ppm |
temperatura di esercizio | - |
Corrente - Alimentazione (max) | -30°C ~ 85°C |
Giudizi | 2.5mA |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Dimensione / Dimensione | 4-SMD, No Lead |
Altezza - Seduto (max) | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
0.032" (0.80mm) | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
520R20DT26M0000 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 520R20DT26M0000-FT |
520R15CA26M0000
CTS-Frequency Controls
520R15CA38M4000
CTS-Frequency Controls
520R15CA40M0000
CTS-Frequency Controls
520R15CT13M0000
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520R15CT16M3677
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520R15CT16M3680
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520R15CT16M3690
CTS-Frequency Controls
520R15CT19M2000
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520R15CT20M0000
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520R15CT26M0000
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3LN
Intel
XC6VHX250T-1FFG1154I
Xilinx Inc.
APA150-TQ100A
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQ160M
Microsemi Corporation
LAE3-17EA-6LMG328E
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780I6
Intel