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codice articolo del costruttore | 512BBB000644BAG |
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Numero di parte futuro | FT-512BBB000644BAG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Si512 |
512BBB000644BAG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Crystal |
Frequenza - Uscita 1 | XO (Standard) |
Frequenza - Uscita 2 | 161.1328MHz, 174.7031MHz |
Frequenza - Uscita 3 | - |
Frequenza - Uscita 4 | - |
Funzione | - |
Produzione | Enable/Disable |
Tensione - Fornitura | LVDS |
Stabilità di frequenza | 3.3V |
temperatura di esercizio | ±25ppm |
Corrente - Alimentazione (max) | -40°C ~ 85°C |
Dimensione / Dimensione | 23mA |
Altezza | 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) |
Pacchetto / caso | 0.052" (1.33mm) |
6-SMD, No Lead | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
512BBB000644BAG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 512BBB000644BAG-FT |
DSC6021CI2A-00GB
Microchip Technology
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Microchip Technology
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Microchip Technology
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Microchip Technology
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Microchip Technology
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Microchip Technology
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Microchip Technology
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Microchip Technology
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Microchip Technology
DSC612RA3A-010S
Microchip Technology
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FGG456C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGSMD3E3H29I3LN
Intel
5SGSMD5H2F35I2N
Intel
XC7VX485T-1FF1927I
Xilinx Inc.
LFEC6E-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel
5SGSMD4H3F35I4N
Intel