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codice articolo del costruttore | 511R-52G |
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Numero di parte futuro | FT-511R-52G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 511R |
511R-52G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron |
Induttanza | 20µH |
Tolleranza | ±2% |
Valutazione attuale | 195mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 2.5 Ohm Max |
Q @ Freq | 75 @ 2.5MHz |
Frequenza - Autorisonante | 30MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 2.5MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.156" Dia x 0.375" L (3.96mm x 9.53mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
511R-52G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 511R-52G-FT |
511R-10H
API Delevan Inc.
511R-10J
API Delevan Inc.
511R-11F
API Delevan Inc.
511R-11G
API Delevan Inc.
511R-11H
API Delevan Inc.
511R-11J
API Delevan Inc.
511R-12F
API Delevan Inc.
511R-12G
API Delevan Inc.
511R-12H
API Delevan Inc.
511R-12J
API Delevan Inc.
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel