casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica / 4N33S(TB)-V
codice articolo del costruttore | 4N33S(TB)-V |
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Numero di parte futuro | FT-4N33S(TB)-V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
4N33S(TB)-V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 5000Vrms |
Rapporto di trasferimento corrente (min) | 500% @ 10mA |
Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | - |
Attiva / Disattiva ora (Tipo) | 5µs, 100µs (Max) |
Rise / Fall Time (Typ) | - |
Tipo di input | DC |
Tipo di uscita | Darlington with Base |
Tensione - Uscita (max) | 55V |
Corrente - Uscita / Canale | - |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 1V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 100°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-SMD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N33S(TB)-V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 4N33S(TB)-V-FT |
EL817(S1)(C)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(C)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(D)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(D)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(D)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(D)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(D)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(D)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(D)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(D)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC3S50-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC2S200-5FGG456C
Xilinx Inc.
XA7A35T-1CSG325I
Xilinx Inc.
APA1000-FG896M
Microsemi Corporation
M1A3P400-1FG256I
Microsemi Corporation
10AX032H3F35I2SG
Intel
LFEC20E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX30DF780C5
Intel