casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica / 4N32VM
codice articolo del costruttore | 4N32VM |
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Numero di parte futuro | FT-4N32VM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
4N32VM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 4170Vrms |
Rapporto di trasferimento corrente (min) | 500% @ 10mA |
Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | - |
Attiva / Disattiva ora (Tipo) | 5µs, 100µs (Max) |
Rise / Fall Time (Typ) | - |
Tipo di input | DC |
Tipo di uscita | Darlington with Base |
Tensione - Uscita (max) | 30V |
Corrente - Uscita / Canale | 150mA |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 80mA |
Vce Saturation (Max) | 1V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 100°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N32VM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 4N32VM-FT |
MCT210M
ON Semiconductor
MCT4
ON Semiconductor
MCT4R
ON Semiconductor
HMHA2801
ON Semiconductor
HMHA281
ON Semiconductor
HMHA2801V
ON Semiconductor
HCPL0534R1
ON Semiconductor
H11G45
ON Semiconductor
H11G3SR2M
ON Semiconductor
H11G3M
ON Semiconductor
M7AFS600-FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN060V2-VQG100
Microsemi Corporation
5SGSMD4E3H29C2L
Intel
EP3SE260H780C2N
Intel
EP4CE6E22C9LN
Intel
5SGXEBBR1H43C2N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
XC2VP20-5FF1152I
Xilinx Inc.
A42MX24-PLG84I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-5MN132I
Lattice Semiconductor Corporation