casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica / 4N31S(TB)-V
codice articolo del costruttore | 4N31S(TB)-V |
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Numero di parte futuro | FT-4N31S(TB)-V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
4N31S(TB)-V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 5000Vrms |
Rapporto di trasferimento corrente (min) | 50% @ 10mA |
Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | - |
Attiva / Disattiva ora (Tipo) | 5µs, 40µs (Max) |
Rise / Fall Time (Typ) | - |
Tipo di input | DC |
Tipo di uscita | Darlington with Base |
Tensione - Uscita (max) | 55V |
Corrente - Uscita / Canale | - |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 1.2V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 100°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-SMD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N31S(TB)-V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 4N31S(TB)-V-FT |
EL817(S1)(A)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(A)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(A)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
LCMXO1200C-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-2PQG100C
Microsemi Corporation
XC4VFX100-10FFG1517I
Xilinx Inc.
M2GL090TS-FCSG325
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100
Microsemi Corporation
EP1K30FC256-3AA
Intel
A40MX04-PL44
Microsemi Corporation
A42MX16-FTQ176
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation