casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica / 4N31S1(TB)-V
codice articolo del costruttore | 4N31S1(TB)-V |
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Numero di parte futuro | FT-4N31S1(TB)-V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
4N31S1(TB)-V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 5000Vrms |
Rapporto di trasferimento corrente (min) | 50% @ 10mA |
Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | - |
Attiva / Disattiva ora (Tipo) | 5µs, 40µs (Max) |
Rise / Fall Time (Typ) | - |
Tipo di input | DC |
Tipo di uscita | Darlington with Base |
Tensione - Uscita (max) | 55V |
Corrente - Uscita / Canale | - |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 1.2V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 100°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-SMD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N31S1(TB)-V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 4N31S1(TB)-V-FT |
EL817(S1)(B)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(C)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(C)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(C)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
MPF100TS-FCVG484I
Microsemi Corporation
A40MX02-PLG68I
Microsemi Corporation
EP20K600CF672I8N
Intel
5SGXEABN1F45I2N
Intel
XC6VLX195T-2FF784I
Xilinx Inc.
XC2V4000-4FF1152I
Xilinx Inc.
LFXP2-40E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFD3H3F35I3N
Intel