casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica / 4N29S1(TB)
codice articolo del costruttore | 4N29S1(TB) |
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Numero di parte futuro | FT-4N29S1(TB) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
4N29S1(TB) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 5000Vrms |
Rapporto di trasferimento corrente (min) | 100% @ 10mA |
Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | - |
Attiva / Disattiva ora (Tipo) | 5µs, 40µs (Max) |
Rise / Fall Time (Typ) | - |
Tipo di input | DC |
Tipo di uscita | Darlington with Base |
Tensione - Uscita (max) | 55V |
Corrente - Uscita / Canale | - |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 1V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 100°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-SMD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N29S1(TB) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 4N29S1(TB)-FT |
EL817(S)(D)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(A)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
LCMXO2-1200HC-5TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-6FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL005-1VFG400I
Microsemi Corporation
A3PN060-2VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG896
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35I3N
Intel