casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica / 4N28S1(TA)-V
codice articolo del costruttore | 4N28S1(TA)-V |
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Numero di parte futuro | FT-4N28S1(TA)-V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
4N28S1(TA)-V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 5000Vrms |
Rapporto di trasferimento corrente (min) | 10% @ 10mA |
Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | - |
Attiva / Disattiva ora (Tipo) | 3µs, 3µs |
Rise / Fall Time (Typ) | - |
Tipo di input | DC |
Tipo di uscita | Transistor with Base |
Tensione - Uscita (max) | 80V |
Corrente - Uscita / Canale | - |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 500mV |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 110°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-SMD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N28S1(TA)-V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 4N28S1(TA)-V-FT |
EL817(S)(C)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(C)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(C)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(D)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(D)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(D)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(D)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(D)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(D)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(D)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
XC2S50E-6FTG256C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG256I
Microsemi Corporation
A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXMA3K3F35C2N
Intel
EP4SE360F35I3
Intel
M1A3P600L-FGG144I
Microsemi Corporation
10AX057K2F35E1SG
Intel
EPF10K30RI240-4N
Intel