casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica / 4N27M-V
codice articolo del costruttore | 4N27M-V |
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Numero di parte futuro | FT-4N27M-V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
4N27M-V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 5000Vrms |
Rapporto di trasferimento corrente (min) | 10% @ 10mA |
Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | - |
Attiva / Disattiva ora (Tipo) | 3µs, 3µs |
Rise / Fall Time (Typ) | - |
Tipo di input | DC |
Tipo di uscita | Transistor with Base |
Tensione - Uscita (max) | 80V |
Corrente - Uscita / Canale | - |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 500mV |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 110°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N27M-V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 4N27M-V-FT |
H11A1SR2M
ON Semiconductor
MOC8106SR2M
ON Semiconductor
4N35SR2VM
ON Semiconductor
4N37SR2M
ON Semiconductor
CNY17F4SR2VM
ON Semiconductor
H11AA4SVM
ON Semiconductor
4N25SR2VM
ON Semiconductor
4N27SR2M
ON Semiconductor
CNY17F2SVM
ON Semiconductor
CNY17F4SR2M
ON Semiconductor
AGLN020V5-QNG68I
Microsemi Corporation
EPF6016TC144-3N
Intel
A3P600L-1FG484I
Microsemi Corporation
AGLN010V5-UCG36
Microsemi Corporation
5SGXEABN2F45C3N
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF1508C5N
Intel
EPF10K40RC240-4
Intel