casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 47C04-E/P
codice articolo del costruttore | 47C04-E/P |
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Numero di parte futuro | FT-47C04-E/P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
47C04-E/P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EERAM |
Tecnologia | EEPROM, SRAM |
Dimensione della memoria | 4Kb (512 x 8) |
Frequenza di clock | 1MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 1ms |
Tempo di accesso | 400ns |
Interfaccia di memoria | I²C |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
47C04-E/P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 47C04-E/P-FT |
24AA32A-I/P
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24LC00-I/P
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24AA024H-I/P
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M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
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XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
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EP20K1000EBI652-2X
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