casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 46DN06ELEMPRXPSA1
codice articolo del costruttore | 46DN06ELEMPRXPSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-46DN06ELEMPRXPSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
46DN06ELEMPRXPSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.36V @ 14000A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 60mA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | DO-200AA, A-PUK |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 180°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
46DN06ELEMPRXPSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 46DN06ELEMPRXPSA1-FT |
SRT115 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT115HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT115HA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT115HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT12 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT12 A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT12 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT12HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT12HA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT12HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel