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codice articolo del costruttore | 4669-562M |
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Numero di parte futuro | FT-4669-562M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 4669 |
4669-562M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 5.6µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.4A |
Corrente - Saturazione | 2.8A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 90 mOhm Max |
Q @ Freq | 35 @ 7.9MHz |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.9MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.387" L x 0.165" W (9.83mm x 4.19mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.310" (7.87mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4669-562M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 4669-562M-FT |
3483-820M
API Delevan Inc.
3500-100K
Bourns Inc.
3500-101K
Bourns Inc.
3500-102K
Bourns Inc.
3500-103K
Bourns Inc.
3500-120K
Bourns Inc.
3500-121K
Bourns Inc.
3500-122K
Bourns Inc.
3500-150K
Bourns Inc.
3500-151K
Bourns Inc.
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel