casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / 409CNQ135
codice articolo del costruttore | 409CNQ135 |
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Numero di parte futuro | FT-409CNQ135 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
409CNQ135 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 135V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.03V @ 200A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 6mA @ 135V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | PRM4 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PRM4 (Non-Isolated) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
409CNQ135 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 409CNQ135-FT |
STTH200R04TV1
STMicroelectronics
STTH6110TV1
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STTH6110TV2
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STPS160H100TV
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STTH12010TV1
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STTH10002TV2
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XC4052XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
XC4005XL-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX75-N3FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FGG484
Microsemi Corporation
EPF6016AFC256-2
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation