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codice articolo del costruttore | 3SK263-5-TG-E |
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Numero di parte futuro | FT-3SK263-5-TG-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
3SK263-5-TG-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | N-Channel Dual Gate |
Frequenza | 200MHz |
Guadagno | 21dB |
Tensione - Test | 6V |
Valutazione attuale | 30mA |
Figura di rumore | 2.2dB |
Corrente - Test | 10mA |
Potenza - Uscita | - |
Tensione: nominale | 15V |
Pacchetto / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-CP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
3SK263-5-TG-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 3SK263-5-TG-E-FT |
BF999E6327HTSA1
Infineon Technologies
BF999E6433HTMA1
Infineon Technologies
MMBF102
ON Semiconductor
MMBF4416LT1
ON Semiconductor
MMBF5485_NB50012
ON Semiconductor
MMBFJ210
ON Semiconductor
MMBFJ212
ON Semiconductor
MMBFJ309LT1
ON Semiconductor
MMBFJ310LT1
ON Semiconductor
NE55410GR-AZ
CEL
XC3S1600E-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FGG484I
Microsemi Corporation
MPF300TS-1FCVG484I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40C2N
Intel
A42MX09-FPQ100
Microsemi Corporation
LFXP6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70SE-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F780C8N
Intel