codice articolo del costruttore | 3N259 |
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Numero di parte futuro | FT-3N259 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
3N259 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 3.14A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, KBPM |
Pacchetto dispositivo fornitore | KBPM |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
3N259 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 3N259-FT |
KBU6D
GeneSiC Semiconductor
KBU8A
GeneSiC Semiconductor
KBPC5010T
GeneSiC Semiconductor
KBPC15005T
GeneSiC Semiconductor
KBPC15010T
GeneSiC Semiconductor
KBPC1501T
GeneSiC Semiconductor
KBPC1502T
GeneSiC Semiconductor
KBPC1504T
GeneSiC Semiconductor
KBPC1506T
GeneSiC Semiconductor
KBPC1508T
GeneSiC Semiconductor
APA150-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C8
Intel
EP1K100FI256-2N
Intel
5SGXMA7N2F45C3
Intel
5SGXMA7K3F35C4
Intel
A3P125-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45E1SG
Intel
EP4SGX180FF35I4N
Intel