casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / 3EZ100D10/TR12
codice articolo del costruttore | 3EZ100D10/TR12 |
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Numero di parte futuro | FT-3EZ100D10/TR12 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
3EZ100D10/TR12 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 100V |
Tolleranza | ±10% |
Potenza - Max | 3W |
Impedenza (Max) (Zzt) | 160 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 76V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
3EZ100D10/TR12 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 3EZ100D10/TR12-FT |
2EZ5.1DE3/TR8
Microsemi Corporation
2EZ5.6D/TR12
Microsemi Corporation
2EZ5.6D/TR8
Microsemi Corporation
2EZ5.6D10/TR12
Microsemi Corporation
2EZ5.6D10/TR8
Microsemi Corporation
2EZ5.6D10E3/TR12
Microsemi Corporation
2EZ5.6D10E3/TR8
Microsemi Corporation
2EZ5.6D2/TR12
Microsemi Corporation
2EZ5.6D2/TR8
Microsemi Corporation
2EZ5.6D2E3/TR12
Microsemi Corporation
XCV200E-7FG456I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1X
Intel
EP4CE40F23A7N
Intel
10M16DCF256C8G
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMA3K2F35C1N
Intel
A54SX16A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME1H2F35C3N
Intel