casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / 309CNQ135
codice articolo del costruttore | 309CNQ135 |
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Numero di parte futuro | FT-309CNQ135 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
309CNQ135 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 135V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 150A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.03V @ 150A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 135V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | PRM4 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PRM4 (Non-Isolated) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
309CNQ135 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 309CNQ135-FT |
STTH120L06TV1
STMicroelectronics
STTH6112TV1
STMicroelectronics
STTH12003TV1
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STTH12012TV1
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STTH120R04TV1
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STTH20002TV1
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STTH200R04TV1
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STTH6110TV1
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STTH6110TV2
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STTH9012TV1
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LCMXO1200C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75T-2FG484I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256
Microsemi Corporation
A54SX72A-1CQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484C4
Intel
10M40DCF256C7G
Intel
5SGXEB5R2F43I2L
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
EP4SGX230DF29C3NES
Intel