codice articolo del costruttore | 2W10G |
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Numero di parte futuro | FT-2W10G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2W10G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-Circular, WOB |
Pacchetto dispositivo fornitore | WOB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2W10G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2W10G-FT |
GBU10K
GeneSiC Semiconductor
GBU10M
GeneSiC Semiconductor
GBU15A
GeneSiC Semiconductor
GBU15B
GeneSiC Semiconductor
GBU15D
GeneSiC Semiconductor
GBU15G
GeneSiC Semiconductor
GBU15J
GeneSiC Semiconductor
GBU15K
GeneSiC Semiconductor
GBU15M
GeneSiC Semiconductor
KBJ2501G
GeneSiC Semiconductor
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2
Intel
EP3SL340H1152I4LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP2SGX60DF780C3N
Intel