codice articolo del costruttore | 2W10G |
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Numero di parte futuro | FT-2W10G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2W10G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-Circular, WOB |
Pacchetto dispositivo fornitore | WOB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2W10G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2W10G-FT |
GBU10K
GeneSiC Semiconductor
GBU10M
GeneSiC Semiconductor
GBU15A
GeneSiC Semiconductor
GBU15B
GeneSiC Semiconductor
GBU15D
GeneSiC Semiconductor
GBU15G
GeneSiC Semiconductor
GBU15J
GeneSiC Semiconductor
GBU15K
GeneSiC Semiconductor
GBU15M
GeneSiC Semiconductor
KBJ2501G
GeneSiC Semiconductor
XC7A35T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
EP4SE530H35C3
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
M2GL090T-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35I5N
Intel