casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - JFET / 2SK545-11D-TB-E
codice articolo del costruttore | 2SK545-11D-TB-E |
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Numero di parte futuro | FT-2SK545-11D-TB-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SK545-11D-TB-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 60µA @ 10V |
Scarico corrente (Id) - max | 1mA |
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 1.5V @ 1µA |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1.7pF @ 10V |
Resistenza - RDS (On) | - |
Potenza - Max | 125mW |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 3-CP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SK545-11D-TB-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SK545-11D-TB-E-FT |
2SK208-GR(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK208-O(TE85L,F)
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2SK208-Y(TE85L,F)
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MMBF5103
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Xilinx Inc.
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