casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - JFET / 2SK3666-3-TB-E
codice articolo del costruttore | 2SK3666-3-TB-E |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-2SK3666-3-TB-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SK3666-3-TB-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 1.2mA @ 10V |
Scarico corrente (Id) - max | 10mA |
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 180mV @ 1µA |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
Resistenza - RDS (On) | 200 Ohms |
Potenza - Max | 200mW |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 3-CP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SK3666-3-TB-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SK3666-3-TB-E-FT |
MMBF5457
ON Semiconductor
2SK01980RL
Panasonic Electronic Components
2SK208-R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
MMBF5459
ON Semiconductor
2SK208-GR(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK208-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK208-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
MMBF5103
ON Semiconductor
MMBFJ112
ON Semiconductor
MMBFJ113
ON Semiconductor
A1020B-1VQG80I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG144I
Microsemi Corporation
XC2VP30-7FGG676C
Xilinx Inc.
EP1SGX25DF672C6
Intel
EP20K1000CF672C8ES
Intel
EP2C35F672I8
Intel
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
XC6VLX195T-L1FF784I
Xilinx Inc.
XA6SLX25-2CSG324Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-2BG332I
Lattice Semiconductor Corporation