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ON Semiconductor 2SK3666-3-TB-E
- Numero parte MFG
- 2SK3666-3-TB-E
- quantità disponibile
- 80860 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.076912
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- ON Semiconductor
- Breve descrizione
- - JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - JFET
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- 2SK3666-3-TB-E.pdf
2SK3666-3-TB-E specificazioni
| codice articolo del costruttore | 2SK3666-3-TB-E |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-2SK3666-3-TB-E |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| 2SK3666-3-TB-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 1.2mA @ 10V |
| Scarico corrente (Id) - max | 10mA |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 180mV @ 1µA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
| Resistenza - RDS (On) | 200 Ohms |
| Potenza - Max | 200mW |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 3-CP |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| 2SK3666-3-TB-E Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | 2SK3666-3-TB-E-FT |
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