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Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3662(F)

Numero parte MFG
2SK3662(F)
quantità disponibile
61070 pezzi
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fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
U-MOSIII MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie U-MOSIII
2SK3662(F) Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 91nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5120pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220NIS
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SK3662(F) Peso Contattaci
Numero parte di ricambio 2SK3662(F)-FT

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