casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SD2153T100W
codice articolo del costruttore | 2SD2153T100W |
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Numero di parte futuro | FT-2SD2153T100W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD2153T100W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 20mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 820 @ 500mA, 6V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | 110MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | MPT3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD2153T100W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SD2153T100W-FT |
2SC1741ASTPR
Rohm Semiconductor
2SC1741STPQ
Rohm Semiconductor
2SC1741STPR
Rohm Semiconductor
2SC2058STPP
Rohm Semiconductor
2SC2062STPC
Rohm Semiconductor
2SC2389STPS
Rohm Semiconductor
2SC3415STPN
Rohm Semiconductor
2SC3415STPP
Rohm Semiconductor
2SC4115STPQ
Rohm Semiconductor
2SC4115STPR
Rohm Semiconductor
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel