codice articolo del costruttore | 2SD2017 |
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Numero di parte futuro | FT-2SD2017 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD2017 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 6A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 250V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 2mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 2A, 2V |
Potenza - Max | 35W |
Frequenza - Transizione | 20MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD2017 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SD2017-FT |
2N5657
STMicroelectronics
2N6039
STMicroelectronics
2SB772
STMicroelectronics
BD235
STMicroelectronics
BD238
STMicroelectronics
BD434
STMicroelectronics
BD436
STMicroelectronics
BD437
STMicroelectronics
BULT118
STMicroelectronics
BULT118M
STMicroelectronics
XC6SLX150-N3CSG484C
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1517C
Xilinx Inc.
XA7A35T-1CSG325Q
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-L1FFG784I
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-3FFG1154C
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX30CF780C5
Intel
EP3SL150F780I3N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel