casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SD1963T100S
codice articolo del costruttore | 2SD1963T100S |
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Numero di parte futuro | FT-2SD1963T100S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD1963T100S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 150mA, 1.5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | MPT3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD1963T100S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SD1963T100S-FT |
2SCR372P5T100R
Rohm Semiconductor
2SCR513PFRAT100
Rohm Semiconductor
2SCR533P5T100
Rohm Semiconductor
2SCR533PT100
Rohm Semiconductor
2SCR542PFRAT100
Rohm Semiconductor
2SCR544P5T100
Rohm Semiconductor
2SCR553PT100
Rohm Semiconductor
2SD1767T100R
Rohm Semiconductor
2SD1834T100
Rohm Semiconductor
2SD1898T100Q
Rohm Semiconductor
EP1C3T144A8N
Intel
LCMXO2280E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048H2F34E2LG
Intel
XC5VLX220-1FF1760C
Xilinx Inc.
XC4VLX160-11FF1148I
Xilinx Inc.
AX500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C6N
Intel