casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SD1963T100R
codice articolo del costruttore | 2SD1963T100R |
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Numero di parte futuro | FT-2SD1963T100R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD1963T100R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 150mA, 1.5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | MPT3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD1963T100R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SD1963T100R-FT |
2SCR372P5T100Q
Rohm Semiconductor
2SCR372P5T100R
Rohm Semiconductor
2SCR513PFRAT100
Rohm Semiconductor
2SCR533P5T100
Rohm Semiconductor
2SCR533PT100
Rohm Semiconductor
2SCR542PFRAT100
Rohm Semiconductor
2SCR544P5T100
Rohm Semiconductor
2SCR553PT100
Rohm Semiconductor
2SD1767T100R
Rohm Semiconductor
2SD1834T100
Rohm Semiconductor
XC3S200-4TQ144I
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
XCV600E-7FG676C
Xilinx Inc.
LFE5UM-45F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40I2N
Intel
XA6SLX9-3CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFEC1E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA3H3F35I4N
Intel