casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SD1763AE
codice articolo del costruttore | 2SD1763AE |
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Numero di parte futuro | FT-2SD1763AE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD1763AE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 100mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 100mA, 5V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | 80MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD1763AE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SD1763AE-FT |
2SA1908
Sanken
2SA1695
Sanken
2SA2223A
Sanken
2SA1294
Sanken
2SC5662T2LP
Rohm Semiconductor
2SC5658T2LQ
Rohm Semiconductor
2SA2029T2LQ
Rohm Semiconductor
2SAR523MT2L
Rohm Semiconductor
2SCR522MT2L
Rohm Semiconductor
2SCR523MT2L
Rohm Semiconductor
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
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10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel