casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SD12770P
codice articolo del costruttore | 2SD12770P |
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Numero di parte futuro | FT-2SD12770P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD12770P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 8mA, 4A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 4000 @ 4A, 3V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | 20MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F-A1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD12770P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SD12770P-FT |
2SA1930(LBS2MATQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930(ONK,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930,CKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930,LBS2DIAQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930,ONKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1931(NOMARK,A,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1931,BOSCHQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1931,KEHINQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage
AT6010A-4AC
Microchip Technology
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FGG484
Microsemi Corporation
AGL600V2-FGG256
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3EQC
Microchip Technology
AT6005-4AC
Microchip Technology
EP4CGX75CF23C6
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
A42MX24-3TQG176I
Microsemi Corporation
10AX027E1F27E1HG
Intel