casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SD12770P
codice articolo del costruttore | 2SD12770P |
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Numero di parte futuro | FT-2SD12770P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD12770P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 8mA, 4A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 4000 @ 4A, 3V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | 20MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F-A1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD12770P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SD12770P-FT |
2SA1930(LBS2MATQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930(ONK,Q,M)
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2SA1930(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930,CKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930,LBS2DIAQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930,ONKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1931(NOMARK,A,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1931,BOSCHQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1931,KEHINQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage
AGL030V2-QNG68
Microsemi Corporation
M2GL050T-FGG484I
Microsemi Corporation
XC3090L-8PC84C
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XC4010E-4HQ208I
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XC6VHX255T-1FFG1155C
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5AGXFB7H6F35C6N
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