casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SD1275AP
codice articolo del costruttore | 2SD1275AP |
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Numero di parte futuro | FT-2SD1275AP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD1275AP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 8mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 2mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 4000 @ 2A, 4V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | 20MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F-A1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD1275AP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SD1275AP-FT |
2SA1869-Y,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1887(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930(LBS2MATQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930(ONK,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930,CKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930,LBS2DIAQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930,ONKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1931(NOMARK,A,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
A3PN015-QNG68I
Microsemi Corporation
XC6VCX130T-2FFG484I
Xilinx Inc.
M2GL025-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
10M16DCF256I6G
Intel
5SGXMA4K3F40I4N
Intel
XC7VX330T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
LFXP2-8E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel
EPF10K10AQC208-3N
Intel