casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SD12710P
codice articolo del costruttore | 2SD12710P |
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Numero di parte futuro | FT-2SD12710P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD12710P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 7A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 250mA, 5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 130 @ 3A, 2V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | 30MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F-A1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD12710P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SD12710P-FT |
2SA1837,YHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1869-Y(JKT,Q,M)
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2SA1869-Y(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1869-Y,MTSAQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1869-Y,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1887(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930(LBS2MATQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930(ONK,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930,CKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
EPF8820ATC144-2N
Intel
XC4003E-4PQ100I
Xilinx Inc.
M2GL010TS-VFG256I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400CF672I8
Intel
EP2S30F484I4
Intel
5SGSMD5K3F40C3
Intel
5SGXEA9N3F45C3N
Intel
EP20K100EQC240-3
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel