casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SD12710P
codice articolo del costruttore | 2SD12710P |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-2SD12710P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD12710P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 7A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 250mA, 5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 130 @ 3A, 2V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | 30MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F-A1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD12710P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SD12710P-FT |
2SA1837,YHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1869-Y(JKT,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1869-Y(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1869-Y,MTSAQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1869-Y,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1887(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930(LBS2MATQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930(ONK,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930,CKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
XCS20XL-5TQ144C
Xilinx Inc.
LFEC1E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM4K-SWG25TR
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
EP4CE10E22I8L
Intel
XC7VX485T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC2VP50-5FFG1148C
Xilinx Inc.
XC4VLX160-11FFG1148C
Xilinx Inc.
XC7K420T-L2FFG901E
Xilinx Inc.
EP1K10QC208-2
Intel