casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SD12680P
codice articolo del costruttore | 2SD12680P |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-2SD12680P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD12680P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 130 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | 30MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F-A1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD12680P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SD12680P-FT |
2SA1837,TOA1F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1837,WNLF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1837,YHF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1837,YHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1869-Y(JKT,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1869-Y(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1869-Y,MTSAQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1869-Y,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1887(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930(LBS2MATQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage
A3P250-1PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM1K-SWG25TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1S10B672C7
Intel
EP4SGX360KF43C4
Intel
5SGXMA3K3F35C3N
Intel
XC2VP30-5FF1152C
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K3F35E2SG
Intel