casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SD12680P
codice articolo del costruttore | 2SD12680P |
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Numero di parte futuro | FT-2SD12680P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD12680P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 130 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | 30MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F-A1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD12680P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SD12680P-FT |
2SA1837,TOA1F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1837,WNLF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1837,YHF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1837,YHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1869-Y(JKT,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1869-Y(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1869-Y,MTSAQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1869-Y,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1887(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930(LBS2MATQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage
AGL030V2-QNG68
Microsemi Corporation
M2GL050T-FGG484I
Microsemi Corporation
XC3090L-8PC84C
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XC4010E-4HQ208I
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XC6VHX255T-1FFG1155C
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XC4VSX55-11FFG1148C
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5AGXFB7H6F35C6N
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