casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SCR375P5T100Q
codice articolo del costruttore | 2SCR375P5T100Q |
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Numero di parte futuro | FT-2SCR375P5T100Q |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SCR375P5T100Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 80mA, 800mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 200mA, 5V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | MPT3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SCR375P5T100Q Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SCR375P5T100Q-FT |
2SC5866TLR
Rohm Semiconductor
2SAR512RTL
Rohm Semiconductor
2SB1690TL
Rohm Semiconductor
2SB1705TL
Rohm Semiconductor
2SB1708TL
Rohm Semiconductor
2SC5868TLQ
Rohm Semiconductor
2SD2675TL
Rohm Semiconductor
2SAR514RTL
Rohm Semiconductor
2SAR553RTL
Rohm Semiconductor
2SB1710TL
Rohm Semiconductor
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel