casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SC5876U3T106
codice articolo del costruttore | 2SC5876U3T106 |
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Numero di parte futuro | FT-2SC5876U3T106 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SC5876U3T106 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 50mA, 2V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 300MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | UMT3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5876U3T106 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SC5876U3T106-FT |
2SCR522EBTL
Rohm Semiconductor
2SA1776TV2P
Rohm Semiconductor
2SA1776TV2Q
Rohm Semiconductor
2SA2093TV2Q
Rohm Semiconductor
2SB1236ATV2P
Rohm Semiconductor
2SB1236ATV2Q
Rohm Semiconductor
2SB1236TV2Q
Rohm Semiconductor
2SB1236TV2R
Rohm Semiconductor
2SB1237TV2P
Rohm Semiconductor
2SB1237TV2Q
Rohm Semiconductor
M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
A3P125-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE15F23C6
Intel
EPF10K50SFC484-1X
Intel
5SGXMA9K2H40C2LN
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
ICE40LM4K-CM49
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45E2LG
Intel
EPF8636ALC84-4
Intel
EP1S10F780I6N
Intel