casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SC5729T106R
codice articolo del costruttore | 2SC5729T106R |
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Numero di parte futuro | FT-2SC5729T106R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SC5729T106R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 50mA, 2V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 300MHz |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | UMT3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5729T106R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SC5729T106R-FT |
2SB1237TV2P
Rohm Semiconductor
2SB1237TV2Q
Rohm Semiconductor
2SB1237TV2R
Rohm Semiconductor
2SB1238TV2P
Rohm Semiconductor
2SB1238TV2Q
Rohm Semiconductor
2SB1238TV2R
Rohm Semiconductor
2SB1239TV2
Rohm Semiconductor
2SB1240TV2P
Rohm Semiconductor
2SB1240TV2Q
Rohm Semiconductor
2SB1240TV2R
Rohm Semiconductor
XC6SLX100-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45C2LN
Intel
5SGXMABK3H40C2LN
Intel
EP1AGX60EF1152I6N
Intel
EP3SL200F1152I4N
Intel
XC7K325T-2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
Intel
EP4SGX180FF35C2X
Intel