casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SC3325-O(TE85L,F)
codice articolo del costruttore | 2SC3325-O(TE85L,F) |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-2SC3325-O(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SC3325-O(TE85L,F) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 100mA, 1V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 300MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | S-Mini |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC3325-O(TE85L,F) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SC3325-O(TE85L,F)-FT |
2SC1627A-Y,PASF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229(TE6SAN1F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(MIT1F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(MITIF,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(SHP,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(SHP1,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(T6MIT1FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(T6SAN2FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(T6SHP1FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
AGLN015V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LCMXO256C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4VQG100C
Xilinx Inc.
APA300-FG256I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
XC7VX485T-2FF1761C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PQ100
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C7N
Intel