casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SC2235-Y(T6FJT,AF
codice articolo del costruttore | 2SC2235-Y(T6FJT,AF |
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Numero di parte futuro | FT-2SC2235-Y(T6FJT,AF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SC2235-Y(T6FJT,AF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 5V |
Potenza - Max | 900mW |
Frequenza - Transizione | 120MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92MOD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC2235-Y(T6FJT,AF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SC2235-Y(T6FJT,AF-FT |
2SC6026MFVGR,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA2154MFV-GR(TPL3
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-O(F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-O(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-O,CKF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-O,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-O,T6CSF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-Y(6MBH1,AF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-Y(F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-Y(HIT,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO640C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S100E-4CPG132I
Xilinx Inc.
XC4013XL-1PQ208I
Xilinx Inc.
A3PN060-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7H3F35C2
Intel
XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S4F45I3LG
Intel
5CGXBC9E6F35C7N
Intel