casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SB1386T100Q
codice articolo del costruttore | 2SB1386T100Q |
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Numero di parte futuro | FT-2SB1386T100Q |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SB1386T100Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100mA, 4A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | 120MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | MPT3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB1386T100Q Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SB1386T100Q-FT |
2SC5868TLR
Rohm Semiconductor
2SA2094TLQ
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2SC5866TLR
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2SAR512RTL
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2SAR514RTL
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LCMXO2-7000ZE-3TG144I
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XC3S400-4FG320I
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XC6SLX9-3FTG256C
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XCV300-5FG456C
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LFE2-12E-5Q208C
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EP4CGX110CF23C7
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EPF10K30AFC256-2N
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EP20K60EFC144-3
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EP1S80F1020I7
Intel