casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SB1302T-TD-E
codice articolo del costruttore | 2SB1302T-TD-E |
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Numero di parte futuro | FT-2SB1302T-TD-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SB1302T-TD-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 60mA, 3A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | 1.3W |
Frequenza - Transizione | 320MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PCP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB1302T-TD-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SB1302T-TD-E-FT |
2SD1816S-H
ON Semiconductor
2SD1803S-E
ON Semiconductor
2SA1552S-H
ON Semiconductor
2SD1815S-E
ON Semiconductor
2SC6017-E
ON Semiconductor
2SC4027S-E
ON Semiconductor
2SB1204S-E
ON Semiconductor
2SA1593S-E
ON Semiconductor
2SB1204T-E
ON Semiconductor
2SD1802S-E
ON Semiconductor
XC4013E-2BG225I
Xilinx Inc.
XC3S200-4PQ208C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG256
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208
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A1020B-1PLG68I
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5SGXMA5N3F40C3N
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5SGXMA5H2F35C1N
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LFE3-17EA-7LMG328I
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EP1C12F324I7
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EPF10K100ARC240-3N
Intel