casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SB1302S-TD-E
codice articolo del costruttore | 2SB1302S-TD-E |
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Numero di parte futuro | FT-2SB1302S-TD-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SB1302S-TD-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 60mA, 3A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | 1.3W |
Frequenza - Transizione | 320MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PCP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB1302S-TD-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SB1302S-TD-E-FT |
SFT1202-E
ON Semiconductor
2SB1215S-E
ON Semiconductor
2SA1593T-E
ON Semiconductor
2SC4027T-H
ON Semiconductor
2SC4135T-E
ON Semiconductor
2SB1203S-E
ON Semiconductor
2SB1203S-H
ON Semiconductor
2SD1803S-H
ON Semiconductor
2SA2169-E
ON Semiconductor
2SD1803T-E
ON Semiconductor
M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
A3P125-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE15F23C6
Intel
EPF10K50SFC484-1X
Intel
5SGXMA9K2H40C2LN
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
ICE40LM4K-CM49
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45E2LG
Intel
EPF8636ALC84-4
Intel
EP1S10F780I6N
Intel